FCP22N60N onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±45V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±45V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 314.08 грн |
50+ | 239.46 грн |
100+ | 205.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP22N60N onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±45V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP22N60N за ціною від 150.5 грн до 341.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCP22N60N | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SupreMOS |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP22N60N Код товару: 150770 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FCP22N60N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCP22N60N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCP22N60N | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 205W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 45nC Technology: SuperMOS® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±45V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCP22N60N | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 205W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 205W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 45nC Technology: SuperMOS® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±45V |
товар відсутній |