FCP7N60 ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 80.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP7N60 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm.
Інші пропозиції FCP7N60 за ціною від 73.25 грн до 205.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCP7N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP7N60 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP7N60 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP7N60 | Виробник : FSC | 07+ QFP-80 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |