Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCPF2250N80Z
FCPF2250N80Z

FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
199+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 199
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCPF2250N80Z за ціною від 83.91 грн до 209.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Виробник : onsemi fcpf2250n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.11 грн
10+ 154.2 грн
100+ 124.76 грн
500+ 104.07 грн
1000+ 89.11 грн
2000+ 83.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Виробник : onsemi / Fairchild FCPF2250N80Z_D-2311779.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.34 грн
10+ 184.92 грн
50+ 136.65 грн
500+ 126.98 грн
1000+ 92.48 грн
3000+ 89.03 грн
5000+ 86.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF2250N80Z Виробник : ON Semiconductor FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf2250n80z-d.pdf
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF2250N80Z Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCPF2250N80Z - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Виробник : ON Semiconductor 3678476305798774fcpf2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Виробник : ON Semiconductor 3678476305798774fcpf2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Виробник : ON Semiconductor 3678476305798774fcpf2250n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній