FCPF360N65S3R0L-F154 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 178.24 грн |
| 10+ | 125.07 грн |
| 100+ | 101.1 грн |
| 500+ | 88.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF360N65S3R0L-F154 ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCPF360N65S3R0L-F154 за ціною від 91.46 грн до 205.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : onsemi |
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO-220F Ultra narrow lead |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube |
товар відсутній |