Продукція > ONSEMI > FCPF400N60
FCPF400N60

FCPF400N60 ONSEMI

2304389.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF400N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+158.77 грн
10+ 139.3 грн
100+ 115.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF400N60 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCPF400N60

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCPF400N60 Виробник : ON Semiconductor fcpf400n60-d.pdf
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF400N60 FCPF400N60 Виробник : ON Semiconductor fcpf400n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FCPF400N60 FCPF400N60 Виробник : ON Semiconductor fcpf400n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FCPF400N60 FCPF400N60 Виробник : onsemi fcpf400n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
товар відсутній
FCPF400N60 FCPF400N60 Виробник : onsemi / Fairchild FCPF400N60_D-2311955.pdf MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
товар відсутній