FCPF850N80Z onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 179.64 грн |
50+ | 137.13 грн |
100+ | 117.54 грн |
500+ | 98.05 грн |
1000+ | 83.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF850N80Z onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCPF850N80Z за ціною від 82.37 грн до 197.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCPF850N80Z | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 4936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FCPF850N80Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCPF850N80Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCPF850N80Z | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |