Продукція > ONSEMI > FDA38N30
FDA38N30

FDA38N30 onsemi

fda38n30-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 10128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.86 грн
30+ 155.27 грн
120+ 133.09 грн
510+ 111.02 грн
1020+ 95.06 грн
2010+ 89.51 грн
5010+ 84.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDA38N30 onsemi

Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції FDA38N30 за ціною від 89.65 грн до 237.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor 4268272214523908fda38n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+215.46 грн
10+ 191.33 грн
30+ 154.77 грн
120+ 135.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : onsemi / Fairchild FDA38N30_D-2311983.pdf MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.09 грн
10+ 192.22 грн
30+ 133.85 грн
120+ 125.2 грн
270+ 107.88 грн
510+ 100.56 грн
1020+ 91.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor 4268272214523908fda38n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+232.04 грн
57+ 206.05 грн
71+ 166.67 грн
120+ 146.01 грн
Мінімальне замовлення: 51
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+237.56 грн
10+ 144.18 грн
100+ 115.79 грн
500+ 99.2 грн
1000+ 89.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDA38N30 FDA38N30 Виробник : ON Semiconductor 4268272214523908fda38n30-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FDA38N30 Виробник : ONSEMI fda38n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 312W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDA38N30 Виробник : ONSEMI fda38n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 22A; Idm: 150A; 312W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 312W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній