FDB035N10A ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 438.9 грн |
| 100+ | 367.36 грн |
| 500+ | 285.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB035N10A ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB035N10A за ціною від 219.21 грн до 545.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB035N10A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDB035N10A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDB035N10A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 214 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 333 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDB035N10A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDB035N10A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDB035N10A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB035N10A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDB035N10A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 116nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 856A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 3.5mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB035N10A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDB035N10A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 116nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 856A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 3.5mΩ |
товар відсутній |