Продукція > ONSEMI > FDB9406-F085
FDB9406-F085

FDB9406-F085 onsemi

fdb9406_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.89 грн
10+ 176.27 грн
100+ 142.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB9406-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDB9406-F085 за ціною від 113.3 грн до 249.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB9406-F085 FDB9406-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDB9406_F085_D-2312184.pdf MOSFET 40V, 110A, 1.8m Ohm NChannel PowerTrench
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.68 грн
10+ 222.49 грн
100+ 159.02 грн
500+ 135.17 грн
800+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB9406-F085 Виробник : ON Semiconductor fdb9406_f085-d.pdf
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB9406-F085 FDB9406-F085 Виробник : onsemi fdb9406_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній