на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC602P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDC602P за ціною від 13.49 грн до 50.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC602P | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V |
на замовлення 4090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC602P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC602P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC602P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
на замовлення 38945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC602P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V |
на замовлення 4823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC602P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V |
на замовлення 5077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC602P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
на замовлення 38945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC602P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDC602P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDC602P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Drain current: -5.5A Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDC602P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: SuperSOT-6 On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Drain current: -5.5A Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |