FDC8601 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 37.74 грн |
6000+ | 34.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC8601 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDC8601 за ціною від 33.81 грн до 99.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDC8601 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC8601 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V |
на замовлення 9047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC8601 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC8601 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 15516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC8601 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC8601 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A On-state resistance: 183mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC8601 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC8601 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A On-state resistance: 183mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 |
товар відсутній |