FDC8884 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 43.33 грн |
| 10+ | 35.88 грн |
| 100+ | 26.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC8884 onsemi
Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FDC8884
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC8884 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDC8884 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
FDC8884 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FDC8884 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
FDC8884 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V |
товар відсутній |