FDD16AN08A0 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.6 грн |
10+ | 96.53 грн |
100+ | 76.8 грн |
500+ | 60.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD16AN08A0 onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD16AN08A0 за ціною від 54.48 грн до 132.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD16AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V |
на замовлення 17794 шт: термін постачання 294-303 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD16AN08A0 | Виробник : ONSEMI | FDD16AN08A0 SMD N channel transistors |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDD16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDD16AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDD16AN08A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1874 pF @ 25 V |
товар відсутній |