на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 63.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD2572 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD2572 за ціною від 57.94 грн до 128.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD2572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD2572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD2572 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch Power Trench |
на замовлення 24750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD2572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD2572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD2572 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD2572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 4A Power dissipation: 135W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD2572 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD2572 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 4A Power dissipation: 135W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |