FDD3682 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 73.66 грн |
| 10+ | 58.28 грн |
| 100+ | 45.29 грн |
| 500+ | 36.02 грн |
| 1000+ | 29.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD3682 onsemi
Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD3682 за ціною від 29.51 грн до 88.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD3682 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel PwrTrench |
на замовлення 17130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD3682 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 5728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD3682 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD3682 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDD3682 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDD3682 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD3682 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD3682 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 95W; DPAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK |
товар відсутній |