Продукція > ONSEMI > FDD6N50FTM
FDD6N50FTM

FDD6N50FTM onsemi


fdd6n50f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.36 грн
5000+ 32.43 грн
12500+ 30.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD6N50FTM onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD6N50FTM за ціною від 33.95 грн до 85.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD6N50FTM FDD6N50FTM Виробник : onsemi fdd6n50f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
на замовлення 13568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.94 грн
10+ 67.39 грн
100+ 52.39 грн
500+ 41.67 грн
1000+ 33.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD6N50FTM FDD6N50FTM Виробник : onsemi / Fairchild FDD6N50F_D-1807178.pdf MOSFET 500V N-Channel
товар відсутній