на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 35.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8445 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD8445 за ціною від 31.31 грн до 97.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 79W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DPAK Gate charge: 7.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DPAK Gate charge: 7.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 70A On-state resistance: 16.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET LOW VOLTAGE |
на замовлення 12056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ON-Semicoductor |
N-Channel 40V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252AA FDD8445 ON Semiconductor TFDD8445 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD8445 Код товару: 116381 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDD8445 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 25 V |
товар відсутній |