Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD86102
FDD86102

FDD86102 ON Semiconductor

3654811580123811fdd86102-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86102 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDD86102 за ціною від 47.6 грн до 134.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor 3654811580123811fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.5 грн
5000+ 50.74 грн
10000+ 49.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor 3654811580123811fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor 3654811580123811fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD86102 FDD86102 Виробник : ONSEMI 2304877.pdf Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+84.2 грн
500+ 63.45 грн
2500+ 56.21 грн
5000+ 51.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD86102 FDD86102 Виробник : onsemi fdd86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.66 грн
10+ 88.78 грн
100+ 70.65 грн
500+ 56.1 грн
1000+ 47.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor 3654811580123811fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+118.31 грн
10+ 98.85 грн
25+ 97.87 грн
100+ 50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD86102 FDD86102 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86102_D-2312728.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 30635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.12 грн
10+ 98.54 грн
100+ 68.42 грн
500+ 57.79 грн
1000+ 49.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor 3654811580123811fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
92+127.41 грн
110+ 106.46 грн
111+ 105.39 грн
Мінімальне замовлення: 92
FDD86102 FDD86102 Виробник : ONSEMI 2304877.pdf Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+134.87 грн
10+ 106.56 грн
100+ 84.2 грн
500+ 63.45 грн
2500+ 56.21 грн
5000+ 51.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor 3654811580123811fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86102 FDD86102 Виробник : ON Semiconductor 3654811580123811fdd86102-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86102 FDD86102 Виробник : onsemi fdd86102-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 50 V
товар відсутній