Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDD86113LZ
FDD86113LZ

FDD86113LZ onsemi / Fairchild

FDD86113LZ_D-2312105.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
на замовлення 10743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.35 грн
10+ 65.01 грн
100+ 47.49 грн
500+ 41.05 грн
1000+ 33.41 грн
2500+ 30.82 грн
5000+ 29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86113LZ onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDD86113LZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86113LZ FDD86113LZ Виробник : ON Semiconductor 3341656112827088fdd86113lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86113LZ FDD86113LZ Виробник : ON Semiconductor 3341656112827088fdd86113lz.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86113LZ FDD86113LZ Виробник : onsemi fdd86113lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
товар відсутній
FDD86113LZ FDD86113LZ Виробник : onsemi fdd86113lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
товар відсутній