Продукція > ONSEMI > FDD86367
FDD86367

FDD86367 onsemi

fdd86367-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD86367 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDD86367 за ціною від 53.94 грн до 145.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD86367 FDD86367 Виробник : onsemi fdd86367-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.88 грн
10+ 79.99 грн
100+ 63.66 грн
500+ 53.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86367 FDD86367 Виробник : onsemi / Fairchild FDD86367_D-2312039.pdf MOSFET MV7 80/20V 1000A N-chanPwrTrnchMOSFET
на замовлення 15210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.72 грн
10+ 89.38 грн
100+ 61.58 грн
250+ 61.51 грн
500+ 57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD86367 FDD86367 Виробник : ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+121.46 грн
5+ 101.71 грн
10+ 80.96 грн
28+ 76.11 грн
500+ 73.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD86367 FDD86367 Виробник : ONSEMI fdd86367-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.75 грн
5+ 126.75 грн
10+ 97.15 грн
28+ 91.34 грн
500+ 88.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD86367 FDD86367 Виробник : ON Semiconductor fdd86367-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній