FDD8647L

FDD8647L onsemi


fdd8647l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.16 грн
5000+ 34.91 грн
12500+ 33.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8647L onsemi

Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD8647L за ціною від 31.57 грн до 110.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD8647L FDD8647L Виробник : ONSEMI 1863388.pdf Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 7987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.35 грн
500+ 51.81 грн
1000+ 38.71 грн
2500+ 32.23 грн
5000+ 31.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD8647L FDD8647L Виробник : ON Semiconductor fdd8647l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
147+79.89 грн
148+ 79.12 грн
150+ 78.33 грн
252+ 44.91 грн
295+ 35.42 грн
Мінімальне замовлення: 147
FDD8647L FDD8647L Виробник : ONSEMI FDD8647L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+83.88 грн
6+ 61.2 грн
18+ 47.29 грн
48+ 44.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD8647L FDD8647L Виробник : onsemi fdd8647l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 20 V
на замовлення 18338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.27 грн
10+ 70.86 грн
100+ 55.12 грн
500+ 43.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8647L FDD8647L Виробник : ON Semiconductor fdd8647l-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+92.49 грн
10+ 74.18 грн
25+ 73.46 грн
50+ 70.14 грн
100+ 38.61 грн
250+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD8647L FDD8647L Виробник : onsemi / Fairchild FDD8647L_D-2312137.pdf MOSFET 40/20V Nch Power Trench
на замовлення 30206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.8 грн
10+ 75.7 грн
100+ 37.45 грн
2500+ 33.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD8647L FDD8647L Виробник : ONSEMI FDD8647L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 42A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.66 грн
5+ 76.26 грн
18+ 56.75 грн
48+ 53.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDD8647L FDD8647L Виробник : ONSEMI 1863388.pdf Description: ONSEMI - FDD8647L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 7987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+110.84 грн
10+ 86.13 грн
100+ 66.35 грн
500+ 51.81 грн
1000+ 38.71 грн
2500+ 32.23 грн
5000+ 31.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD8647L Виробник : Fairchild fdd8647l-d.pdf N-Channel 40V 14A (Ta), 42A (Tc) 3.1W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD8647L ON Semiconductor TFDD8647L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD8647L FDD8647L Виробник : ON Semiconductor 3667604417959637fdd8647l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній