на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.84 грн |
26+ | 23.46 грн |
50+ | 22.6 грн |
100+ | 20.87 грн |
250+ | 19.97 грн |
500+ | 19.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8796 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V.
Інші пропозиції FDD8796 за ціною від 22.5 грн до 64.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD8796 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V |
на замовлення 23432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD8796 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD8796 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET LOW VOLTAGE |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD8796 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD8796 | Виробник : Fairchild |
на замовлення 3432 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FDD8796 | Виробник : fairchild | 07+ to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDD8796 | Виробник : fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDD8796 | Виробник : FSC | 09+ |
на замовлення 147972 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDD8796 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDD8796 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 98A; Idm: 305A; 88W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 98A Pulsed drain current: 305A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDD8796 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 13 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDD8796 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 98A; Idm: 305A; 88W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 98A Pulsed drain current: 305A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |