на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.62 грн |
| 5000+ | 20.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8880 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 55W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD8880 за ціною від 19.53 грн до 75.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 55W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 46457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.007 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 55W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 58A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
FDD8880 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDD8880 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDD8880 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 58A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 58A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |