Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDD8882
FDD8882

FDD8882 Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365717-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
588+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 588
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8882 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDD8882 за ціною від 34.59 грн до 60.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD8882 FDD8882 Виробник : onsemi FDD%2CFDU8882.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.47 грн
10+ 49.96 грн
100+ 34.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD8882 FDD8882 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDD8882-D-1807624.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDD8882 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8882.pdf FAIR-S-A0002365717-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8882 Виробник : FAIRCHILD FDD%2CFDU8882.pdf FAIR-S-A0002365717-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDD8882 FDD8882 Виробник : ON Semiconductor 3905272621156182fdd8882.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD8882 FDD8882 Виробник : onsemi FDD%2CFDU8882.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
товар відсутній