Продукція > ONSEMI > FDD8896
FDD8896

FDD8896 ONSEMI

1863390.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.22 грн
500+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD8896 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDD8896 за ціною від 23.86 грн до 78.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
216+54.26 грн
218+ 53.72 грн
246+ 47.62 грн
264+ 42.69 грн
500+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 216
FDD8896 FDD8896 Виробник : ONSEMI FDD,FDU8896.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.28 грн
8+ 44.81 грн
23+ 35.38 грн
63+ 33.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD8896 FDD8896 Виробник : ONSEMI FDD,FDU8896.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 94A
Power dissipation: 80W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+55.84 грн
23+ 42.45 грн
63+ 39.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD8896 FDD8896 Виробник : onsemi FDD%2CFDU8896.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 20243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.27 грн
10+ 52.44 грн
100+ 40.81 грн
500+ 32.47 грн
1000+ 26.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+69.74 грн
12+ 50.38 грн
25+ 49.88 грн
100+ 42.64 грн
250+ 36.7 грн
500+ 23.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDD8896 FDD8896 Виробник : onsemi / Fairchild FDD8896_D-3150410.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 14247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.55 грн
10+ 58.28 грн
100+ 39.42 грн
500+ 32.1 грн
1000+ 27.17 грн
2500+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD8896 FDD8896 Виробник : ONSEMI 1863390.pdf Description: ONSEMI - FDD8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 94 A, 0.0047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 80W
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.44 грн
13+ 61.56 грн
100+ 44.22 грн
500+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDD8896 Виробник : VBsemi FDD%2CFDU8896.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Substitute: FDD8896-VB; FDD8896 TFDD8896 VBS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
FDD8896 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002365645-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD8896 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD8896 FDD8896 Виробник : ON Semiconductor 3652257317472082fdd8896.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD8896 FDD8896 Виробник : onsemi FDD%2CFDU8896.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
товар відсутній