на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.42 грн |
10+ | 106.45 грн |
100+ | 72.59 грн |
500+ | 59.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8N50NZTM onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDD8N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET II, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDD8N50NZTM за ціною від 100.85 грн до 124.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD8N50NZTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
FDD8N50NZTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8N50NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
FDD8N50NZTM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||
FDD8N50NZTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||
FDD8N50NZTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||
FDD8N50NZTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.25A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||
FDD8N50NZTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.9A; Idm: 26A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |