FDH45N50F-F133 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 25 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 404.12 грн |
| 30+ | 310.56 грн |
| 120+ | 277.87 грн |
| 510+ | 230.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDH45N50F-F133 onsemi
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDH45N50F-F133 за ціною від 223.75 грн до 484.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDH45N50F-F133 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 500V N Channel MOSFET FRFET |
на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDH45N50F-F133 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDH45N50F-F133 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDH45N50F_F133 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: 455000.12OHN-CHANNPOWMOSFETO-247 Packaging: Bulk |
товар відсутній |