FDL100N50F ON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 785.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDL100N50F ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDL100N50F за ціною від 753.73 грн до 1314.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDL100N50F | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET UniFET 500V |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDL100N50F | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C; FDL100N50F TFDL100n50f кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDL100N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDL100N50F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 2.5kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 238nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO264 Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDL100N50F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 2500W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 2.5kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 238nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO264 Drain-source voltage: 500V Drain current: 100A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |