на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA3023PZ ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції FDMA3023PZ за ціною від 18.17 грн до 61.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA3023PZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMA3023PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 12410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMA3023PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench |
на замовлення 6391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMA3023PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: WDFN6 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| FDMA3023PZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: WDFN6 |
товар відсутній |