на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 62.12 грн |
6000+ | 57.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC2674 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 220V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: UltraFET Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC2674 за ціною від 48.34 грн до 139.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC2674 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 220V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: UltraFET Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC2674 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET LOW VOLTAGE |
на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC2674 | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP |
на замовлення 25839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC2674 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 220V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: UltraFET Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC2674 | Виробник : Fairchild |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FDMC2674 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FDMC2674 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC2674 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC2674 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 7A; Idm: 13.8A; 42W; MLP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 220V Drain current: 7A Pulsed drain current: 13.8A Power dissipation: 42W Case: MLP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 814mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC2674 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 7A; Idm: 13.8A; 42W; MLP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 220V Drain current: 7A Pulsed drain current: 13.8A Power dissipation: 42W Case: MLP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 814mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |