Продукція > ONSEMI > FDMC6675BZ
FDMC6675BZ

FDMC6675BZ onsemi

fdmc6675bz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+31.7 грн
6000+ 29.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC6675BZ onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMC6675BZ за ціною від 27.75 грн до 76.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
208+56.29 грн
210+ 55.88 грн
246+ 47.74 грн
250+ 45.94 грн
500+ 37.35 грн
1000+ 29.88 грн
Мінімальне замовлення: 208
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.98 грн
12+ 52.27 грн
25+ 51.89 грн
100+ 42.75 грн
250+ 39.5 грн
500+ 33.3 грн
1000+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMC6675BZ_D-2312606.pdf MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench
на замовлення 8819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.29 грн
10+ 60.99 грн
100+ 42.4 грн
500+ 36.39 грн
1000+ 29.46 грн
3000+ 28.53 грн
6000+ 27.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : onsemi fdmc6675bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.45 грн
10+ 60.34 грн
100+ 46.97 грн
500+ 37.36 грн
1000+ 30.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC6675BZ
Код товару: 130485 		fdmc6675bz-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC6675BZ FDMC6675BZ Виробник : ON Semiconductor fdmc6675bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC6675BZ Виробник : ONSEMI fdmc6675bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD
Case: WDFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC6675BZ Виробник : ONSEMI fdmc6675bz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD
Case: WDFN8
товар відсутній