FDMC6679AZ ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC6679AZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC6679AZ за ціною від 29.13 грн до 98.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC6679AZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V |
на замовлення 4919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC6679AZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -30V P-Channel Power Trench |
на замовлення 52325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC6679AZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Case: WDFN8 Mounting: SMD Power dissipation: 41W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 15mΩ Drain current: -20A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMC6679AZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Case: WDFN8 Mounting: SMD Power dissipation: 41W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 15mΩ Drain current: -20A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: -30V |
товар відсутній |