FDMC7660 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0018 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 66.94 грн |
| 500+ | 52.44 грн |
| 1000+ | 41.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC7660 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0018 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC7660 за ціною від 41.04 грн до 126.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMC7660 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0018 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PQFN8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC7660 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PQFN8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDMC7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMC7660 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDMC7660 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V |
товар відсутній |