FDMC7660S ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
590+ | 62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC7660S ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMC7660S за ціною від 35.96 грн до 101.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDMC7660S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC7660S | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench |
на замовлення 6358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDMC7660S |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
FDMC7660S | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC7660S | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC7660S | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC7660S | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33 Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD Case: Power33 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC7660S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMC7660S | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33 Kind of package: reel; tape Technology: PowerTrench® Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD Case: Power33 Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |