FDMC7660S

FDMC7660S ONSEMI


ONSM-S-A0003586771-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
590+62 грн
Мінімальне замовлення: 590
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC7660S ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: Power33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMC7660S за ціною від 35.96 грн до 101.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC7660S FDMC7660S Виробник : onsemi fdmc7660s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.65 грн
10+ 74.02 грн
100+ 57.53 грн
500+ 45.77 грн
1000+ 37.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC7660S FDMC7660S Виробник : onsemi / Fairchild FDMC7660S_D-2312608.pdf MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
на замовлення 6358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.78 грн
10+ 82.71 грн
100+ 55.67 грн
500+ 47.21 грн
1000+ 38.49 грн
3000+ 36.89 грн
6000+ 35.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMC7660S fdmc7660s-d.pdf
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMC7660S FDMC7660S Виробник : ON Semiconductor 3677607926035689fdmc7660s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R
товар відсутній
FDMC7660S FDMC7660S Виробник : ON Semiconductor fdmc7660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R
товар відсутній
FDMC7660S FDMC7660S Виробник : ON Semiconductor fdmc7660s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R
товар відсутній
FDMC7660S Виробник : ONSEMI fdmc7660s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: Power33
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC7660S FDMC7660S Виробник : onsemi fdmc7660s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V
товар відсутній
FDMC7660S Виробник : ONSEMI fdmc7660s-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: Power33
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній