FDMC7696 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 26.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC7696 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC7696 за ціною від 23.24 грн до 70.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC7696 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC7696 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC7696 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V |
на замовлення 4303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMC7696 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMC7696 | Виробник : FAIRCHILD |
QFN |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FDMC7696 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDMC7696 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FDMC7696 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 25W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 25W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| FDMC7696 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 25W; WDFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 25W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |