Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMC86116LZ
FDMC86116LZ

FDMC86116LZ ON Semiconductor

fdmc86116lz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC86116LZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.079 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC86116LZ за ціною від 23.24 грн до 76.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86116lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.07 грн
6000+ 27.83 грн
9000+ 26.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86116lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.97 грн
6000+ 28.68 грн
9000+ 27.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86116lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
264+44.4 грн
267+ 43.96 грн
303+ 38.66 грн
307+ 36.81 грн
500+ 27.07 грн
Мінімальне замовлення: 264
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86116lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+45.04 грн
15+ 41.23 грн
25+ 40.82 грн
100+ 34.62 грн
250+ 31.65 грн
500+ 24.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.079 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+46.13 грн
500+ 35.4 грн
1000+ 28.37 грн
3000+ 25.48 грн
6000+ 23.62 грн
12000+ 23.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : onsemi fdmc86116lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.16 грн
10+ 53.06 грн
100+ 41.27 грн
500+ 32.83 грн
1000+ 26.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDMC86116LZ_D-2312332.pdf MOSFET 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.44 грн
10+ 58.89 грн
100+ 39.86 грн
500+ 33.78 грн
1000+ 27.51 грн
3000+ 25.9 грн
6000+ 24.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.079 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+76.39 грн
12+ 64.11 грн
100+ 46.13 грн
500+ 35.4 грн
1000+ 28.37 грн
3000+ 25.48 грн
6000+ 23.62 грн
12000+ 23.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : ON Semiconductor fdmc86116lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R
товар відсутній
FDMC86116LZ Виробник : ONSEMI fdmc86116lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 15A; 19W; WDFN8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 178mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Mounting: SMD
Case: WDFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC86116LZ FDMC86116LZ Виробник : onsemi fdmc86116lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V
товар відсутній
FDMC86116LZ Виробник : ONSEMI fdmc86116lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 15A; 19W; WDFN8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 178mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Mounting: SMD
Case: WDFN8
товар відсутній