FDMC86260 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 74.17 грн |
| 6000+ | 68.74 грн |
| 9000+ | 66.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86260 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 54W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC86260 за ціною від 68.76 грн до 203.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86260 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86260 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86260 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 54W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86260 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V |
на замовлення 17354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86260 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86260 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86260 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86260 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 54W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86260 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R |
товар відсутній |