FDMC86340 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.005 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 63.42 грн |
| 500+ | 51.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC86340 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.005 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC86340 за ціною від 51.87 грн до 140.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC86340 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.005 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V |
на замовлення 6180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86340 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench |
на замовлення 9543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMC86340 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMC86340 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMC86340 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMC86340 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 48A; Idm: 200A; 54W; Power33 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 54W Gate charge: 53nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: Power33 On-state resistance: 11mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMC86340 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 48A; Idm: 200A; 54W; Power33 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 54W Gate charge: 53nC Polarisation: unipolar Drain current: 48A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: Power33 On-state resistance: 11mΩ |
товар відсутній |