Продукція > ONSEMI > FDMC8882
FDMC8882

FDMC8882 onsemi

fdmc8882-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+25.06 грн
6000+ 22.99 грн
9000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC8882 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMC8882 за ціною від 21.98 грн до 65.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
290+40.31 грн
293+ 39.9 грн
329+ 35.58 грн
336+ 33.55 грн
500+ 28.92 грн
1000+ 23.67 грн
Мінімальне замовлення: 290
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.97 грн
16+ 37.43 грн
25+ 37.05 грн
100+ 31.86 грн
250+ 28.85 грн
500+ 25.78 грн
1000+ 21.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : onsemi fdmc8882-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 15 V
на замовлення 34937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.51 грн
10+ 47.73 грн
100+ 37.13 грн
500+ 29.54 грн
1000+ 24.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : onsemi / Fairchild FDMC8882_D-2312700.pdf MOSFET 30V N-Channel Power Trench 174 MOSFET
на замовлення 16322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.73 грн
10+ 53.68 грн
100+ 36.36 грн
500+ 30.77 грн
1000+ 25.11 грн
3000+ 23.57 грн
6000+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ON Semiconductor fdmc8882jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
FDMC8882 FDMC8882 Виробник : ON Semiconductor fdmc8882-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 10.5A 8-Pin Power 33 EP T/R
товар відсутній
FDMC8882 Виробник : ONSEMI fdmc8882-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC8882 Виробник : ONSEMI fdmc8882-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 18W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 18W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній