Продукція > ONSEMI > FDMC89521L
FDMC89521L

FDMC89521L onsemi

fdmc89521l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+59.23 грн
6000+ 54.89 грн
9000+ 53.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMC89521L onsemi

Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 16W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 16W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMC89521L за ціною від 51.01 грн до 835.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+62.73 грн
6000+ 60.61 грн
9000+ 58.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+64.68 грн
6000+ 62.49 грн
9000+ 60.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ONSEMI 2724474.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+83.73 грн
500+ 73.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+86.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+115.71 грн
10+ 100.67 грн
25+ 99.85 грн
100+ 82.6 грн
250+ 71.93 грн
500+ 64.04 грн
1000+ 56.13 грн
3000+ 55.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 89970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+118.57 грн
10+ 102.21 грн
25+ 101.19 грн
50+ 96.28 грн
100+ 76.7 грн
250+ 69.04 грн
500+ 63.19 грн
1000+ 51.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+124.61 грн
108+ 108.42 грн
109+ 107.53 грн
127+ 88.96 грн
250+ 77.46 грн
500+ 68.97 грн
1000+ 60.45 грн
3000+ 59.98 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : onsemi fdmc89521l-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 41465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.47 грн
10+ 105.06 грн
100+ 83.62 грн
500+ 66.4 грн
1000+ 56.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : onsemi / Fairchild FDMC89521L_D-2312701.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.79 грн
10+ 115.46 грн
100+ 80.58 грн
250+ 74.64 грн
500+ 67.37 грн
1000+ 57.99 грн
3000+ 55.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ONSEMI fdmc89521l-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+154.86 грн
10+ 114.85 грн
100+ 83.73 грн
500+ 73.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDMC89521L_D-2312701.pdf MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDMC89521L Виробник : onsemi fdmc89521l-d.pdf Транз. Пол.2 N-Channel (Dual) MOSFET 8-Power33 (3x3) Udss=60V; Id=8,2 A; Pd=1,9 W; Rds=17 mOhm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+835.8 грн
10+ 620.88 грн
FDMC89521L FDMC89521L Виробник : ON Semiconductor fdmc89521l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
FDMC89521L Виробник : ONSEMI fdmc89521l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 16W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power33
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMC89521L Виробник : ONSEMI fdmc89521l-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 16W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: Power33
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
товар відсутній