FDME1024NZT onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 57.63 грн |
| 10+ | 45.51 грн |
| 100+ | 35.43 грн |
| 500+ | 28.18 грн |
| 1000+ | 22.95 грн |
| 2000+ | 21.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDME1024NZT onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 600mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6).
Інші пропозиції FDME1024NZT за ціною від 21.38 грн до 62.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDME1024NZT | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDME1024NZT | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 600mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDME1024NZT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 +1 |
FDME1024NZT | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET Mounting: SMD Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.2nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: MicroFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
+1 |
FDME1024NZT | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET Mounting: SMD Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 4.2nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Case: MicroFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.8A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 |
товар відсутній |