FDMQ8403 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 102.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMQ8403 onsemi
Description: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm, tariffCode: 85413000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 17W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMQ8403 за ціною від 87.08 грн до 237.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMQ8403 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 12-MLP (5x4.5) Part Status: Active |
на замовлення 15891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMQ8403 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMQ8403 - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.11 ohm tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: PowerTrench GreenBridge Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 17W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 22365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMQ8403 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SER BOOST LED DRVR |
на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMQ8403 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 5950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDMQ8403 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.1A 12-Pin MLP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMQ8403 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12 Case: WDFN12 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V On-state resistance: 191mΩ Drain current: 6A Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Gate charge: 5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET x4 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMQ8403 | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x4; unipolar; 100V; 6A; Idm: 12A; 17W; WDFN12 Case: WDFN12 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V On-state resistance: 191mΩ Drain current: 6A Power dissipation: 17W Polarisation: unipolar Gate charge: 5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET x4 |
товар відсутній |