FDMS007N08LC onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 66.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS007N08LC onsemi
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0049 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 92.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 92.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm.
Інші пропозиції FDMS007N08LC за ціною від 60.61 грн до 178.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS007N08LC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0049 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 92.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.6W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS007N08LC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 92.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS007N08LC | Виробник : onsemi |
MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6 |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS007N08LC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0049 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS007N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDMS007N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS007N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS007N08LC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS007N08LC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 345A; 92.6W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 53A Pulsed drain current: 345A Power dissipation: 92.6W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS007N08LC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 53A; Idm: 345A; 92.6W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 53A Pulsed drain current: 345A Power dissipation: 92.6W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |