FDMS0308AS ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS0308AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 998+ | 36.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS0308AS ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDMS0308AS за ціною від 20.26 грн до 61.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS0308AS | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
на замовлення 17972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS0308AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDMS0308AS | Виробник : FAIRCHILD |
QFN |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FDMS0308AS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS0308AS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS0308AS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS0308AS | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 49A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 50W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |