Продукція > ONSEMI > FDMS030N06B
FDMS030N06B

FDMS030N06B onsemi

fdms030n06b-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+109.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS030N06B onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS030N06B за ціною від 101.06 грн до 312 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS030N06B FDMS030N06B Виробник : onsemi / Fairchild FDMS030N06B_D-2312391.pdf MOSFET NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET
на замовлення 12911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.27 грн
10+ 176.98 грн
100+ 139.37 грн
250+ 138.71 грн
500+ 126.82 грн
1000+ 108.32 грн
3000+ 101.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS030N06B FDMS030N06B Виробник : onsemi fdms030n06b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 30 V
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.35 грн
10+ 181.3 грн
100+ 146.69 грн
500+ 122.37 грн
1000+ 104.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS030N06B Виробник : Fairchild/ON Semiconductor fdms030n06b-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7560 @ 30; Qg, нКл = 75 @ 10 В; Rds = 3 мОм; Ugs(th) = 4,5; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerTDFN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+312 грн
10+ 242.89 грн
100+ 225.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS030N06B FDMS030N06B Виробник : ON Semiconductor fdms030n06b.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 22.1A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS030N06B Виробник : ONSEMI fdms030n06b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS030N06B Виробник : ONSEMI fdms030n06b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній