Продукція > ONSEMI > FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N

FDMS10C4D2N onsemi

fdms10c4d2n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.57 грн
10+ 154.09 грн
100+ 122.67 грн
500+ 97.41 грн
1000+ 82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS10C4D2N onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDMS10C4D2N за ціною від 78.38 грн до 209.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N Виробник : onsemi / Fairchild FDMS10C4D2N_D-2312519.pdf MOSFET Energy Inversion DC-AC
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.24 грн
10+ 171.11 грн
100+ 118.9 грн
250+ 110.27 грн
500+ 99.64 грн
1000+ 83.7 грн
3000+ 78.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N Виробник : ON Semiconductor 3653876288408148fdms10c4d2n.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS10C4D2N Виробник : ONSEMI fdms10c4d2n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 510A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS10C4D2N FDMS10C4D2N Виробник : onsemi fdms10c4d2n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 50 V
товар відсутній
FDMS10C4D2N Виробник : ONSEMI fdms10c4d2n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 48A; Idm: 510A; 125W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 510A
Power dissipation: 125W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній