FDMS3664S

FDMS3664S onsemi / Fairchild


FDMS3664S_D-2312799.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 14371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.22 грн
10+ 70.56 грн
100+ 53.41 грн
500+ 49.34 грн
1000+ 40.92 грн
3000+ 36.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS3664S onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDMS3664S за ціною від 39.72 грн до 100.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : onsemi fdms3664s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.38 грн
10+ 78.79 грн
100+ 61.29 грн
500+ 48.75 грн
1000+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ON Semiconductor fdms3664s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ON Semiconductor fdms3664s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : ON Semiconductor fdms3664s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A/25A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS3664S Виробник : ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS3664S FDMS3664S Виробник : onsemi fdms3664s-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
товар відсутній
FDMS3664S Виробник : ONSEMI fdms3664s-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/60A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/60A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±12V
On-state resistance: 11/4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній