Продукція > ONSEMI > FDMS4D0N12C
FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C onsemi

fdms4d0n12c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+160.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS4D0N12C onsemi

Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.0044 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDMS4D0N12C за ціною від 154.07 грн до 381.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Виробник : ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.0044 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+273.53 грн
500+ 182.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Виробник : onsemi fdms4d0n12c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370A
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 60 V
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.7 грн
10+ 266.69 грн
100+ 215.7 грн
500+ 179.94 грн
1000+ 154.07 грн
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Виробник : onsemi FDMS4D0N12C_D-2312552.pdf MOSFET PTNG 120V N-FET 118A
на замовлення 12617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+357.9 грн
10+ 296.41 грн
25+ 242.5 грн
100+ 208.05 грн
250+ 196.79 грн
500+ 184.86 грн
1000+ 158.36 грн
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Виробник : ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.0044 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+381.3 грн
10+ 272.04 грн
100+ 220.75 грн
500+ 196.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C Виробник : ON Semiconductor fdms4d0n12c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 18.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS4D0N12C Виробник : ONSEMI fdms4d0n12c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
Pulsed drain current: 628A
Power dissipation: 106W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS4D0N12C Виробник : ONSEMI fdms4d0n12c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 114A
Pulsed drain current: 628A
Power dissipation: 106W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній