Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS5672
FDMS5672

FDMS5672 ON Semiconductor

fdms5672jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+154.02 грн
10+ 144.94 грн
25+ 143.86 грн
100+ 128.78 грн
250+ 118.4 грн
500+ 113.24 грн
1000+ 112.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS5672 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDMS5672 за ціною від 112.84 грн до 241.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+155.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
71+165.87 грн
75+ 156.09 грн
76+ 154.92 грн
100+ 138.69 грн
250+ 127.51 грн
500+ 121.95 грн
1000+ 121.41 грн
Мінімальне замовлення: 71
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+174.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS5672_D-2312801.pdf MOSFET 60V N-ChUltraFET PowerTrench MOSFET
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.42 грн
10+ 190.21 грн
25+ 164.07 грн
100+ 140.16 грн
250+ 139.49 грн
500+ 128.2 грн
1000+ 115.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : onsemi fdms5672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.43 грн
10+ 195.26 грн
100+ 157.98 грн
500+ 131.78 грн
1000+ 112.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : ON Semiconductor fdms5672jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10.6A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : ONSEMI FDMS5672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : onsemi fdms5672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V
товар відсутній
FDMS5672 FDMS5672 Виробник : ONSEMI FDMS5672.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 78W; PQFN8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
товар відсутній