FDMS6681Z ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0032 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 52691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 93.36 грн |
| 500+ | 68.8 грн |
| 3000+ | 62.24 грн |
| 6000+ | 60.97 грн |
| 9000+ | 59.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS6681Z ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0032 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Інші пропозиції FDMS6681Z за ціною від 59.7 грн до 173.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDMS6681Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0032 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 52691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS6681Z | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench |
на замовлення 11122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDMS6681Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS6681Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN |
товар відсутній |